سامسونج تبدأ الإنتاج الضخم لشرائح QLC V-NAND بسعة 1 تيرابايت

بدأت شركة سامسونج في الإنتاج الضخم لشرائح QLC V-NAND المميزة بسعة 1تيرابايت، والتي تدعم حلول الذكاء الإصطناعي الجديدة.

أعلنت سامسونج عن بدء الإنتاج الضخم لأحدث إصدار من شرائح NAND، حيث تبدأ الشركة في إنتاج ذاكرة V-NAND من الجيل التاسع من QLC، والتي تنطلق بسعة 1 تيرابايت.

ولقد كانت سامسونج أولى الشركات التي تنتج الجيل التاسع من V-NAND بتقنية TLC في شهر أبريل الماضي والتي تتميز بتقنية الخلايا الثلاثية.

واليوم تبدأ الشركة في ترقية التقنية إلى خلايا (QLC) رباعية، والتي تتيح زيادة السعة حتى 4بت في كل خلية، لذا تأتي الشرائح بكثافة تخزينية مرتفعة.

كما تعمل هذه الترقية أيضاً على تعزيز سرعة القراءة والكتابة في الشرائح، مع خفض إستهلاك الطاقة، على أن يتم خفض إستهلاك الطاقة في القراءة بنسبة 30% وخفض إستهلاك الطاقة في الكتابة بنسبة 50%.

ولقد أشار “SungHoi Hur” نائب الرئيس التنفيذي ورئيس قسم منتجات الفلاش أن الإنتاج الضخم للشرائح الجديدة يأتي في الوقت الأنسب مع حلول الذكاء الإصطناعي.

المصدر




Source link

شارك هذا الخبر

شاهد أيضاً

إطلاق ساعة Redmi Watch 5 Lite في 25 سبتمبر والإعلانات التشويقية تفصح عن الميزات

سوف تقدم شركة Redmi جهاز جديد قابل للارتداء في 25 سبتمبر، وهو Redmi Watch 5 …